但一些中小型企业，当今都读读无论是培养成立专门的团队或者花大价钱去打广告，都可能得不偿失。

在之前的研究中，青年人们提出了多种可能的物理解释，青年如电子空穴补偿、高迁移率、复杂的自旋结构等，然而到目前为止，WTe2中产生巨磁阻的根本原因仍然存在争议。近日，应该缪峰教授课题组利用原位栅压调控方法，应该证明了WTe2中的电子空穴补偿是不饱和磁电阻产生的根本原因，同时在薄膜WTe2中实现了高达10600%的巨大磁电阻（比以往研究报道中类似厚度薄膜的磁电阻高出1-2个量级）。

南京大学物理学院博士王瑶佳、鲁迅博士生王利铮为该工作共同第一作者，缪峰教授和梁世军副研究员为该工作的共同通讯作者。先生磁电阻以及电子空穴浓度比随栅压的变化。为了避免薄膜的氧化，当今都读读缪峰课题组利用干法转移技术制作了h-BN保护的高质量WTe2薄膜器件(如图a所示，当今都读读薄膜厚度约10 nm)，同时利用h-BN作为栅介质原位调控WTe2中的载流子浓度。

【前言】三十年前，青年磁性多层结构中巨磁阻效应的发现直接导致了固态存储硬盘的小型化革命。但是，应该在2014年，有实验发现非磁性块体材料二锑化钨（WTe2）在低温下电阻随磁场的增加出现不饱和增长现象，磁电阻在60 T时达到

通过在室温下简单的混合处理，鲁迅钠钾液态合金就会自发地扩散填充进预先处理过的碳骨架集流体当中（carbonpaper）。

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